參數(shù)資料
型號： LAE4002S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 48K
代理商： LAE4002S
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LAE4002S
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Up to 0.1 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
40
35
16
3
90
625
+200
200
235
V
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
case
≤
75
°
C
t
≤
10 s; note 1
T
case
≤
75
°
C; R
BE
< 220
.
(I) Second breakdown limit (independent of temperature).
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
2
10
1
MGD998
1
10
10
2
IC
(mA)
(1)
VCE (V)
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
600
200
0
400
150
MGD997
Tcase (
o
C)
MAINTENANCE TYPE - NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SEE INDEX SECTION OF SC15
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PDF描述
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