參數(shù)資料
型號(hào): LAE4001R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商: LAE4001R
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LAE4001R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
30
25
16
2
80
480
+200
200
235
V
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
case
100
°
C
t
10 s
T
case
100
°
C; R
BE
< 220
.
(1) V
CEO
.
(2) V
CER
.
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
2
10
1
MGD988
1
10
10
2
IC
(mA)
VCE (V)
(1)
(2)
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
400
200
0
50
100
200
150
MGL069
Ptot
(mW)
Tcase (
o
C)
MAINTENANCE TYPE - NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SEE INDEX SECTION OF SC15
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PDF描述
LAE4002S NPN microwave power transistor
LAE6000Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 15MA I(C) | MICRO-X
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