參數(shù)資料
型號(hào)： L6387
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
中文描述： 高壓高端和低端驅(qū)動(dòng)
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 133K
代理商： L6387
drop on the bootstrap DMOS:
V
drop
=
I
charge
R
dson
→
V
drop
=
Q
gate
T
charge
R
dson
where Q
gate
is the gate charge of the external
power MOS, R
dson
is the on resistance of the
bootstrap DMOS, and T
charge
is the charging time
of the bootstrap capacitor.
For example: using a power MOS with a total
gate charge of 30nC the drop on the bootstrap
DMOS is about 1V, if the T
charge
is 5
μ
s. In fact:
V
drop
=
30nC
5
μ
s
125
~
0.8V
V
drop
has to be taken into account when the volt-
age drop on C
BOOT
is calculated: if this drop is
too high, or the circuit topology doesn’t allow a
sufficient charging time, an external diode can be
used.
TO LOAD
D99IN1056
H.V.
HVG
a
b
LVG
HVG
LVG
C
BOOT
TO LOAD
H.V.
C
BOOT
D
BOOT
V
BOOT
V
S
V
S
V
OUT
V
BOOT
V
OUT
Figure 3. Bootstrap Driver.
-45
-25
0
25
Tj (°C)
50
75
100
125
0
50
100
150
200
250
T
Typ.
@ Vcc = 15V
Figure 4. Turn On Time vs. Temperature
-45
-25
0
25
Tj (°C)
50
75
100
125
0
50
100
150
200
250
T
Typ.
@ Vcc = 15V
Figure 5. Turn Off Time vs. Temperature
L6387
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PDF描述
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