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參數(shù)資料
| 型號： | L60NH3LL |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-channel 30V - 0.0065ohm - 30A - PowerFLAT (6x5) Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道30V的- 0.0065ohm - 30A條-的PowerFLAT（6x5）超低柵極電荷STripFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 337K |
| 代理商： | L60NH3LL |
STL60NH3LL
Electrical characteristics
5/13
Table 5.
Switching times
Symbol
Parameter
Test condictions
Min.
Typ.
Max. Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on delay time
Rise time
V
DD
= 15V, I
D
= 8A
R
G
= 4.7
, V
GS
= 10V,
(see Figure 14)
8
65
ns
ns
t
d(off)
t
f
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 15V, I
D
= 8A
R
G
= 4.7
, V
GS
= 10V,
(see Figure 14)
30
20
ns
ns
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test condictions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
I
SDM
V
SD (1)
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
16
64
A
A
1.
Pulsed: Pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
= 16A, V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 16V, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 20V, T
j
= 25°C
(see Figure 16)
22
32
1.9
ns
nC
A
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