參數(shù)資料
型號(hào)： L2004V6
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： 200 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-251
封裝： TO-251, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 30K
代理商： L2004V6
PARAMETERS
Package Type
Pkg Type
Radial Leaded
Mount Method
Mount
Through-Hole
Critical Rate-of-rise of On-state Current
di/dt (A/s)
50
Critical rate-of-rise of off-state voltage
dv/dt @ 100°C
(V/s)
30
Critical rate-of-rise of off-state voltage
dv/dt @ 125°C
(V/s)
0
Critical Rate-of-rise of Commutation Voltage of a
Triac (commutating dv/dt)
dv/dt(c) TYP
(V/s)
1
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 100°C max
(mA)
0.0000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 110°C
MAX (mA)
0.2000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 125°C max
(mA)
0.0000
Repetitive Peak off-state Current
IDRM @ 25°C max
(mA)
0.0100
Gate Trigger Current - Q4
IGT Q4 TYP (mA)
0
Peak gate trigger current
IGTM (A)
1.2000
RMS Surge (Non-repetitive) On-state Fusing Current
I2 t (A2 Sec)
6.6000
Average Gate Power Dissipation
PG(AV) (Watts)
0.3000
Peak Gate Power Dissipation
PGM (Watts)
15
Package Size / Form Factor
Size
TO-251
Gate-controlled Turn-on time
TGT TYP (s)
3.0000
Maximum Gate Trigger Voltage
VGT MAX @ 125°C
(V)
0.2000
Gate Trigger Voltage
VGT MAX @ 25°C
(V)
2.0000
Peak on-state voltage a maximum rated RMS current
VTM (V)
1.6000
Maximum On-state Current
IT(RMS) MAX (A)
4
Repetitive Peak Off-state Voltage
VDRM MIN (V)
200
Gate Trigger Current - Q1
IGT Q1 MAX (mA) 5
Gate Trigger Current - Q2
IGT Q2 MAX (mA) 5
Gate Trigger Current - Q3
IGT Q3 MAX (mA) 5
Gate Trigger Current - Q4
IGT Q4 MAX (mA) 10
Maximum Holding Current
IH MAX (mA)
10
Surge (Non-repetitive) On-state current
ITSM @ 60Hz (A)
40
Surge (Non-repetitive) On-state current
ITSM @ 50Hz (A)
33
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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L2006A 制造商:BELLING LEE 功能描述:FUSEHOLDER 20X5MM
L2006D5 制造商:TECCOR 制造商全稱(chēng):TECCOR 功能描述:Sensitive Triacs (0.8A to 8A)
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