參數(shù)資料
型號： KSP94
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Voltage Transistor
中文描述： 300 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： KSP94
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, July 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
CES
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
CE
(sat)
1
V
CE
(sat)
2
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
Parameter
Value
-400
-400
-6
-300
625
150
-55~150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -100
μ
A, V
BE
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -300V, V
E
=0
V
CE
= -400V, V
BE
=0V
V
BE
= -4V, I
C
=0
V
CE
= -10V, I
C
= -1mA
V
CE
= -10V, I
C
= -10mA
V
CE
= -10V, I
C
= -50mA
V
CE
= -10V, I
C
= -100mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
I
C
= -50mA, I
B
= -5mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
V
CB
= -20V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
-400
-400
-6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
μ
A
nA
-100
-1
-100
DC Current Gain
40
50
45
40
300
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500
-750
-750
mV
mV
mV
pF
7
KSP94
High Voltage Transistor
High Collector-Emitter Voltage: V
CEO
= -400V
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Complement to KSP44
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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