| 型號(hào): | KSE350 |
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | High Voltage General Purpose Applications |
| 中文描述: | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝: | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商: | KSE350 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSE44H | General Purpose Power Switching Applications |
| KSE5020 | Feature |
| KSE8355T | General Purpose and Switching Applications |
| KSH112 | D-PAK for Surface Mount Applications |
| KSH112-I | D-PAK for Surface Mount Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSE350S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE350STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE44 | 制造商:Molex 功能描述:KIT EUROSTYLE 5.08MM K-ESE44 |
| KSE440BX2NPAK10 | 制造商:Intel 功能描述:BRD;SEATTLE 10 PACK |
| KSE44H | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Power Switching Applications |