參數(shù)資料
型號： KSD227GTA
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 72K
代理商： KSD227GTA
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A1, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Collector Output Capacitance
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
B
= 450uA
I
B
= 350uA
I
B
= 400uA
I
B
= 300uA
I
B
= 200uA
I
B
= 150uA
I
B
= 100uA
I
B
= 250uA
I
B
= 50uA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
10
100
1000
V
CE
= 1V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
20
40
60
80
100
V
CE
= 1V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
300
1
10
20
I
E
= 0
f = 1MHz
C
o
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
1
10
100
10
100
1000
V
CE
= 5V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
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KSD227YBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KSD22S 制造商:OTAX Corporation 功能描述:
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