參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1021
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： FERRITE BEAD 80 OHM 200MA 0603
中文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92S, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： KSD1021
4.00
±
0.20
3.72
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0.20
2.86
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0.20
2.31
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0.20
3
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0
0
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0
1
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0
(
0.49
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0.10
1.27TYP
[1.27
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0.20]
[1.27
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0.20]
1.27TYP
0.66 MAX.
0.35
+0.10
–0.05
TO-92S
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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KSD1021GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1021GTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1021OBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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