參數(shù)資料
型號： KSC1173
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low Frequency Power Amplifier Power Regulator
中文描述： 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： KSC1173
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Collector Output Capacitance
Figure 6. Safe Operating Area
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
5.6
6.4
7.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
B
= 40mAI
B
= 30mA
I
B
= 20mA
I
B
= 15mA
I
B
= 10mA
I
B
= 8mA
I
B
= 5mA
I
B
= 3mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
CE
=2V
I
C
(
V
BE
(V), BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
10
100
I
E
=0
f=1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
1
10
100
0.1
1
10
Thermal
limitation
1ms
*10ms
Tc=25
℃
*Single Pulse
S/B Limitation
I
C
MAX(DC)
*50ms
I
C
MAX(Pulse)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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KSC1173YTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC1173YTSTUA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
KSC1173YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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