參數(shù)資料
型號： KSB1017
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power Amplifier Applications
中文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： KSB1017
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Silicon Epitaxial Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation ( T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
Parameter
Value
- 80
- 80
- 5
- 4
- 0.4
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 50mA, I
B
= 0
V
CB
= - 80V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 3A
I
C
= - 3A, I
B
= - 0.3A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 3A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
V
CB
= - 10V, f = 1MHz
Min.
-80
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
- 30
- 100
240
DC Current Gain
40
15
- 1
- 1
9
130
- 1.7
- 1.5
V
V
MHz
pF
R
O
Y
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSB1017
Power Amplifier Applications
Complement to KSD1408
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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PDF描述
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KSB1017RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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