參數(shù)資料
型號： KP029J
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 2W的GaAs功率場效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 582K
代理商： KP029J
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-5-
Technical Note
P0120009P
2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Tc= 25
°C, Vds=8V, Ids=400mA, Pin=5dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.81
∠
-155.1
Pout max : 17.65dBm
: 0.54
∠
169.9
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.74
∠
-156.6
IP3 max : 50.7dBm
: 0.55
∠
-171.5
Tc= 25°C, Vds=8V, Ids=350mA, Pin=5dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.81
∠
-155.1
Pout max : 17.7dBm
: 0.54
∠
169.9
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.74
∠
-156.6
IP3 max : 50.55dBm
: 0.49
∠
-172.9
+j25
+j50
+j100
-j100
-j50
-j25
50
25
100
16.45
17.7
+j25
50
+j50
+j100
-j100
-j50
-j25
25
100
45.55
50.55
+j100
100
+j50
+j25
-j25
-j50
-j100
50
25
45.7
50.7
+j100
+j25
+j50
100
50
-j25
-j50
-j100
16.4
17.65
25
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PDF描述
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