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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5364105CK |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V |
| 中文描述： | 4米× 36的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4和16M四中科院，4K/2K，刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/15頁 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | KMM5364105CK |
DRAM MODULE
KMM5364105CK/CKG
KMM5364005CK/CKG
DQ8
DQ17
DQ26
DQ35
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
W
A0-A11(A10)
DQ31-DQ34
DQ27-DQ30
DQ22-DQ25
DQ18-DQ21
DQ13-DQ16
DQ9-DQ12
DQ4-DQ7
DQ0-DQ3
U0
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
CAS0
RAS0
CAS1
CAS2
CAS3
U8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5364105CKG | 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V |
| KMM965G112 | 1Mx64 SGRAM SODIMM(1Mx64 圖形RAM模塊) |
| KMM966G112 | 1Mx64 SGRAM SODIMM(1Mx64 圖形RAM模塊) |
| KMM965G256B | 256Kx64 SGRAM SODIMM(256Kx64 圖形RAM模塊) |
| KMM966G256B | 256Kx64 SGRAM SODIMM(256Kx64 圖形RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5364105CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K, Refresh, 5V |
| KMM5368003BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5368003BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM54 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM55 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
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