- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374364 > KMM53216000BK (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMM53216000BK |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所（1,600 × 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 3/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 343K |
| 代理商： | KMM53216000BK |
DRAM MODULE
KMM53216000BK/BKG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
CAS0
RAS0
U0
Vcc
Vss
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U1
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U2
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U3
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U4
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U5
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U6
CAS
RAS
OE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
W A0-A11
U7
To all DRAMs
CAS1
CAS2
RAS2
CAS3
W
A0-A11
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53216000BV | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM53232000BV | 32M x 32 DRAM SIMM(32M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM5324000BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324000CKG | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53216000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。