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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5321200C2WG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| 中文描述： | 1Mx32 DRAM的上海藥物研究所（1MX16基地） |
| 文件頁數(shù)： | 17/17頁 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | KMM5321200C2WG |
DRAM MODULE
KMM5321200C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 17 -
PACKAGE DIMENSIONS
.133(3.38)
4.250(107.95)
3.984(101.19)
.125(3.17)
MIN
R.062
±
.004(R1.57
±
.10)
.250(6.35)
3.750(95.25)
.250(6.35)
Units : Inches (millimeters)
Gold & Solder Plating Lead
.010(.25)MAX
.050(1.27)
.041
±
.004(1.04
±
.10)
.100(2.54)
MIN
.200(5.08)
MAX
.054(1.37)
.047(1.19)
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
NOTE : The used device is 1Mx16 DRAM
DRAM Part No. : KMM5321200C2W/C2WG -- KM416C1200CJ (400 mil)
.750(19.05)
.400(10.16)
.125 DIA
±
.002(3.18
±
.051)
R.062(1.57)
.250(6.35)
.080(2.03)
( Back view )
( Front view )
Revision History
Rev 0.0 : Nov. 1997
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5321204C2W | 1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM5321204C2WG | CABLE ASSEMBLY; BNC MALE TO SMA MALE; 50 OHM, RG196A/U COAX; *USES STANDARD 50 OHM INTERFACE CONNECTORS* |
| KMM53216000BK | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM53216000BV | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM53232000BV | 32M x 32 DRAM SIMM(32M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5321204C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM5321204C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM53216000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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