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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5321200C2W |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| 中文描述： | 1Mx32 DRAM的上海藥物研究所（1MX16基地） |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | KMM5321200C2W |
DRAM MODULE
KMM5321200C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 4 -
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS0
W
A0-A9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
RAS
LCAS
UCAS
OE
W
A0-A9
CAS0
CAS1
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
RAS
LCAS
UCAS
OE
CAS2
CAS3
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
U0
U1
W
A0-A9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5321200C2WG | 1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM5321204C2W | 1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM5321204C2WG | CABLE ASSEMBLY; BNC MALE TO SMA MALE; 50 OHM, RG196A/U COAX; *USES STANDARD 50 OHM INTERFACE CONNECTORS* |
| KMM53216000BK | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM53216000BV | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5321200C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM5321204C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM5321204C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
| KMM53216000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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