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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM374F400CK1 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 72 DRAM DIMM(4Mx72 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 72的DRAM內(nèi)存（4Mx72動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 386K |
| 代理商： | KMM374F400CK1 |
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DRAM MODULE
KMM374F410CK1
KMM374F400CK1
AC CHARACTERISTICS
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C, V
CC
=3.3V
±
0.3V. See notes 1,2.)
Test condition : V
ih
/V
il
=2.0/0.8V, V
oh
/V
ol
=2.0/0.8V, Output loading C
L
=100pF
Parameter
Symbol
-5
-6
Unit
Note
Min
73
48
53
5
10
5
Max
Min
85
55
60
5
10
5
Max
RAS to W dealy time
Column address to W delay time
CAS precharge to W delay time
CAS setup time (CAS-before-RAS refresh)
CAS hold time (CAS-before-RAS refresh)
RAS to CAS precharge time
Access time from CAS precharge
Hyper page mode cycle time
Hyper page mode read-modify write cycle time
CAS precharge time (Hyper page cycle
RAS pulse width (Hyper page cycle)
RAS hold time from CAS precharge
OE access time
OE to data delay
Output buffer turn off delay time from OE
OE command hold time
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)
W to RAS hold time (C-B-R refresh)
Output data hold time
Output buffer turn off delay from RAS
Output buffer turn off delay from W
W to data delay
OE to CAS hold time
CAS hold time to OE
OE precharge time
W pulse width
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPA
t
HPC
t
HPRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
WRP
t
WRH
t
DOH
t
REZ
t
WEZ
t
WED
t
OCH
t
CHO
t
OEP
t
WPE
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
7
28
35
3
25
68
8
50
30
30
77
10
60
35
13
13
200K
200K
13
15
13
3
13
15
3
15
13
15
7,11
10
10
10
10
5
3
3
15
5
5
5
5
5
3
3
13
13
15
15
6,11,12
6,11
15
5
5
5
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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