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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM364C224BJ |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 64的DRAM內(nèi)存（2米× 64動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/19頁(yè) |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | KMM364C224BJ |
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DRAM MODULE
KMM364C224BJ
PACKAGE DIMENSIONS
5.250
(133.350)
5.014
(127.350)
Units : Inches (millimeters)
0.050
(1.270)
0.039
±
.002
(1.000
±
.050)
0.01Max
(0.25 Max)
0.350Max
(8.89Max)
0.050
±
0.0039
(1.270
±
0.10)
R 0.079
(R 2.000)
0.250
(6.350)
1.450
(36.830)
2.150
(54.61)
0.350
(8.890)
0
(
0
(
0
(
Detail C
.118DIA
±
.004
(3.000DIA
±
.100)
A
B
C
0.250
(6.350)
.450
(11.430)
4.550
(115.57)
0.157
±
0.004
(4.000
±
0.100)
0.054
(1.372)
1
(
0.118
(3.000)
0.250
(6.350)
Detail A
0.123
±
.005
(3.125
±
.125)
0.250
(6.350)
Detail B
0.123
±
.005
(3.125
±
.125)
0.079
±
.004
(2.000
±
.100)
0.079
±
.004
(2.000
±
.100)
0
(
0
(
( Back view )
( Front view )
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
The used device is 1Mx16 DRAM with FP mode, SOJ.
DRAM Part No. : KMM364C224BJ - KM416C1200BJ.
Revision History
Rev 0.1 : Feb.
1997
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM366F224BJ1 | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
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| KMM366F400CK1 | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM366S1623AT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
| KMM366S1623AT-G0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
| KMM366S1623AT-G2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
| KMM366S1623AT-G8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
| KMM366S1623BT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PC100 SDRAM MODULE |
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