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參數(shù)資料
| 型號： | KMB7D0DN40QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 雙N溝道MOSFET通道 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 470K |
| 代理商： | KMB7D0DN40QA |
2007. 4. 3
3/4
KMB7D0DN40QA
Revision No : 0
0
0
2
4
8
12
16
20
4
6
8
10
3.5V
V
GS
=3.0V
V
GS
=10,5,4.5V
4.0V
C
Drain - Current I
D
(A)
0
0
8
4
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
12
16
20
Gate-Source Volatage V
GS
(V)
0
1
4
8
12
16
24
20
2
3
5
25
C
N
S
D
)
0
80
200
160
40
120
0
160
120
80
-40
40
-80
Common Source
V
=10V
Pulse Test
Common Source
V
=10V
Pulse Test
Common Source
Tc=25
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
Junction Temperature Tj ( )
I
D
=6A
-80
-40
40
80
160
120
0
0
1
4
2
5
3
Junction Temperature Tj ( )
C
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
G
t
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
D
0.8
1.2
0
0.4
1.6
2.0
0
2
10
8
4
6
Common Source
Tc= 25
C
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
D
D
D
S
D
)
4.5V
V
GS
=10.0V
125
C
Tc=-55
C
Fig1. I
D
- V
DS
Fig2. R
DS(on)
- I
D
Fig3. I
D
- V
GS
Fig4. R
DS(on)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
DR
- V
SDF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB7D0NP30QA | N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMM332V204BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB7D0DN40QA_0712 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB7D0DN40QA_09 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0N40QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA_11 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET |
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