- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374362 > KMB014P30QA (KEC Holdings) P-Ch Trench MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMB014P30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 的P -溝道MOSFET總 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 475K |
| 代理商： | KMB014P30QA |
2007. 6. 29
3/4
KMB014P30QA
Revision No : 1
Gate - Source Voltage V
GS
(V)
Fig 1. I
D
- V
DS
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
0
0
0.5
5
10
15
25
20
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
5
15
0
10
25
20
1.2
2.4
0
3.6
0.6
1.8
3.0
Fig 2. I
D
- V
GS
D
D
D
D
Fig 4. R
DS(ON)
- T
j
-55
-25
25
50
75
125
100
0
C
N
t
Fig 5. V
th
- Tj
Fig 3. C - V
DS
-50
-25
0.6
0.8
0.9
0.7
1.3
1.0
1.1
1.2
0.6
0.8
1.4
1.8
1.0
1.6
1.2
0
50
100
25
25
125
75
10
15
0
5
20
30
N
Junction Temperature Tj ( )
Junction Temperature Tj ( )
0
1000
6000
5000
2000
3000
4000
25
C
-55
C
125
C
-V
GS
=4.5V
-V
GS
=10V
-V
GS
=4V
-V
GS
=3.5V
-V
GS
=3V
Coss
Ciss
Crss
V
DS
= V
GS
I
DS
= 250
μ
A
V
GS
=-10V
I
D
= -12A
Fig 6. I
DR
- V
SD
1
10
20
0.2
0.8
1.2
0.6
1.0
0.4
V
GS
= 0V
R
D
(
Source-Drain Forword Voltage V
SDF
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB060N60PA | N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| KMB2D0N60SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D0P30SA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB020-165G | 制造商:Advanced Interconnect 功能描述: |
| KMB0-21-A10SN | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KMB0-21-A10SV | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KMB0-21L-A10PN | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KMB0-21L-A10PW | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。