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參數(shù)資料
| 型號： | KM68V1000BLG-10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| 中文描述： | 128K的× 8位低功耗和低電壓的CMOS Statinc內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | KM68V1000BLG-10 |
KM68V1000B, KM68U1000B Family
CMOS SRAM
Revision 2.0
March 1998
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
1
t
CW(2)
t
WR(4)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS
1
Controlled)
Address
CS
1
t
WC
t
WR(4)
t
AS(3)
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
t
DW
t
DH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
CS
2
t
WC
t
AW
t
AS(3)
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KM68V1000BLG-7L | 128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| KM68V1000BLGE-10 | 128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| KM68V1000BLGE-10L | 128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KM68V1000BLG-10L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
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| KM68V1000BLGE-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| KM68V1000BLGE-10L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
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