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參數(shù)資料
| 型號： | KM68512BLI-L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 64Kx8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | KM68512BLI-L |
Revision 0.0
January 1998
KM68512B Family
CMOS SRAM
7
Advance
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
1
t
CW(2)
t
WR(4)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS
1
Controlled)
Address
CS
1
t
WC
t
WR(4)
t
AS(3)
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
t
DW
t
DH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
CS
2
t
WC
t
AW
t
AS(3)
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AW
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM68512BL-L | 64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM7101 | Ultra-Low Cost, 139A, +2.7V, 4.9MHz Rail-to-Rail I/O Amplifier |
| KM7101IT5 | Ultra-Low Cost, 139A, +2.7V, 4.9MHz Rail-to-Rail I/O Amplifier |
| KM7101IT5TR3 | Ultra-Low Cost, 139A, +2.7V, 4.9MHz Rail-to-Rail I/O Amplifier |
| KM718B86 | 64Kx18-Bit Synchronous SRAM(64Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM68512BL-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6865BJ-20 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM68B261A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32K x 8 Bit High-Speed BiCMOS Static RAM |
| KM68B261A-6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32K x 8 Bit High-Speed BiCMOS Static RAM |
| KM68B261A-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32K x 8 Bit High-Speed BiCMOS Static RAM |
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