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參數(shù)資料
| 型號： | KM681000BLGI-10L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128K的x8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | KM681000BLGI-10L |
PRELIMINARY
CMOS SRAM
Revision 0.3
April 1996
KM681000B Family
PACKAGE DIMENSIONS
Units :MillimeterS(Inches)
0~15
é
#1
32 DUAL INLINE PACKAGE (600mil)
#32
13.60
0.20
0.535
0.008
4.191
0.20
1.650
0.008
( 0.075
1
0
MAX
42.31
1.666
0.25
+0.10
0.010
+0.004
2.54
0.100
MAX
3.81
0.20
0.150
0.008
5.08
0.200
MIN
0.015
0.38
0.130
0.012
3.30
0.30
#16
#17
1.52
0.10
0.060
0.004
0.46
0.10
0.018
0.004
32 PLASTIC SMALL OUTLINE PACKAGE (525mil)
0~8
é
#32
20.47
0.20
0.806
0.008
MAX
20.87
0.822
MAX
2.74
0.20
0.108
0.008
3.00
0.118
MIN
0.002
0.05
0.004 MAX
0.10 MAX
#1
( 0.028
1
0
11.43
0.20
0.450
0.008
0.80
0.20
0.031
0.008
0.20
+0.10
0.008
+0.004
14.12
0.30
0.556
0.012
#17
#16
1.27
0.050
+0.100
0.41
-0.050
0.016
-0.002
+0.004
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM681000BL-L | ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80% |
| KM681000 | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BL | RES, MF, 1%, 1/4W, 9.53K |
| KM681000BLE | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLI | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM681000BLGI-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLGI-7L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLI | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLI-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BL-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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