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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM681000BLGI-10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128K的x8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/11頁(yè) |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | KM681000BLGI-10 |
PRELIMINARY
CMOS SRAM
Revision 0.3
April 1996
KM681000B Family
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE (1)
(WE Controlled)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE (2)
1
Controlled)
Address
CS
1
Data Valid
CS
2
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
Address
CS
1
Data Undefined
Data Valid
CS
2
WE
Data in
Data out
t
WC
t
CW(2)
t
WR1(4
)
t
AW
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DW
t
DH
t
OW
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WHZ
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CW(2)
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WR1(4)
t
AW
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
AS(3)
t
WC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM681000BLGI-10L | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BL-L | ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80% |
| KM681000 | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BL | RES, MF, 1%, 1/4W, 9.53K |
| KM681000BLE | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM681000BLGI-10L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLGI-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLGI-7L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLI | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM681000BLI-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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