參數(shù)資料
型號(hào)： KGF1633
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： Power FET (Plastic Package Type)
中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管（塑料包裝型）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
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代理商： KGF1633
3/6
KGF1633
electronic components
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
*1 Condition: f
= 850 MHz, V
DS
= 3.4 V, I
DSQ
= 120 mA
Item
V
DS
V
GS
I
DS
Symbol
Condition
Ta = 25°C
Max.
8
0.4
2
Unit
V
V
A
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
P
tot
T
ch
T
stg
Ta = 25°C
Ta = 25°C
—
—
3
150
125
W
°C
°C
Min.
—
–5
—
—
—
–45
Ta = Tc = 25°C
Item
P
O
h
D
G
LIN
R
th
Symbol
I
GSS
Condition
Max.
100
Unit
m
A
Output power
Drain efficiency
Linear gain
Thermal resistance
—
—
—
—
dBm
%
dB
°C/W
Min.
—
27
60
—
—
(*1), P
IN
= 12 dBm
(*1), P
IN
= 12 dBm
(*1), P
IN
= 0 dBm
Channel to case
Typ.
—
28
70
19
30
(Ta = 25°C)
V
GSQ
Gate bias Q point
–2.0
V
–3.0
V
DS
= 3.4 V, I
DSQ
= 120 mA
—
I
DSS
Drain current
—
A
1.0
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
—
I
DS(off)
Drain-source leakage current
1000
m
A
—
V
DS
= 8 V, V
GS
= –5 V
—
I
GDO
Gate-drain leakage current
1000
m
A
—
V
GD
= –13 V
—
Gate-source leakage current
V
GS
= –5 V
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PDF描述
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