參數(shù)資料
型號(hào)： KFN2G16Q2M-DEB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： MuxOneNAND FLASH MEMORY
中文描述： MuxOneNAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 88/124頁(yè)
文件大?。?/td> 1550K
代理商： KFN2G16Q2M-DEB6
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
88
OTP Program Operation Flow Chart
Select DataRAM for DDP
Add: F101h DQ=DBS*
Write ’DFS*, FBA’ of Flash
1)
Add: F100h DQ=DFS*’, FBA
Start
Data Input
Completed
Write ’OTP Access’ Command
Add: F220h DQ=0065h
Write ’FPA, FSA’ of Flash
Add: F107h DQ=FPA, FSA
Write ’BSA, BSC’ of DataRAM
Add: F200h DQ=BSA, BSC
Write Data into DataRAM
2)
Add: DP DQ=Data-in
OTP Programming completed
Write Program command
DQ=0080h or 001Ah
Automatically
checked
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
NO
Add: F220h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Do Cold/Warm/Hot
/NAND Flash Core reset
OTP Exit
Update Controller
Status Register
Add: F240h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
OTP Exit
Automatically
updated
OTP
L
=0
YES
NO
Read Controller
Status Register
Add: F240h DQ[10]=1(Error)
DQ[14]=1(Lock), DQ[10]=1(Error)
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
1)
Read Controller
Status Register
Add: F240h DQ[10]=0(Pass)
Do Cold/Warm/Hot
/NAND Flash Core reset
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
2) Data input could be done anywhere between "Start" and "Write Program Command".
3) FBA should point the unlocked area address among NAND Flash Array address map.
Note 1) FBA(NAND Flash Block Address) could be omitted or any address.
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PDF描述
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