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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFN1G16Q2M-DED5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 80/124頁(yè) |
| 文件大小： | 1550K |
| 代理商： | KFN1G16Q2M-DED5 |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
80
There are multiple methods for erasing data in the device including Block Erase and Multi-Block Erase.
3.10.1 Block Erase Operation
See Timing Diagram 6.8
The device can be erased one block at a time. To erase a block is to write all 1's into the desired memory block by executing the Inter-
nal Erase Routine. All previous data is lost.
Block Erase Operation Flow Chart
Start
Write ’DFS*, FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=DFS*, FBA
Write ’Erase’ Command
Add: F220h DQ=0094h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Add: F240h DQ[10]=Error
Erase completed
DQ[10]=0
YES
Erase Error
NO
Read Controller
Status Register
: If erase operation results in an error, map out
*
the failing block and replace it with another block.
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
* DFS is for DDP
3.10 Erase Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFN1G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFN1G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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| KFN2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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