參數(shù)資料
型號： KFG1G1612M-DED5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 18/125頁
文件大小： 1657K
代理商： KFG1G1612M-DED5
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
18
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
External Memory Array Organization
BootRAM 0
BootRAM 1
BootRAM
DataRAM 1_0
DataRAM 1_1
DataRAM 1_2
DataRAM 1_3
DataRAM1
{
Main area data
(512B)
Spare area data
DataRAM 0_0
DataRAM 0_1
DataRAM 0_2
DataRAM 0_3
DataRAM0
Sector: (512 + 16) Byte
(16B)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFW4G16U2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW4G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G1612M-DEB5 Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes
KFG2G1612M-DEB5 Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Impedance:50ohm; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G RoHS Compliant: Yes
KFH2G1612M-DEB5 Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Impedance:50ohm; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:600V RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG1G16D2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16D2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G16D2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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