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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216Q2A-FEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 104/114頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-FEB6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
104
6.12 Warm Reset Timing
See AC Characteristics Tables 5.6
CE, OE
RP
t
RP
t
Ready1
RDY
INT
bit
High-Z
High-Z
t
Ready2
Idle
1)
Operation
Status
Reset Ongoing
2)
BootRAM Access
3)
Idle
1)
INT Bit Polling
4)
NOTES:
1. The status which can accept any register based operation(Load, Program, Erase command, etc).
2. The status where reset is ongoing.
3. The status allows only BootRAM(BL1) read operation for Boot Sequence.(refer to 7.2.2 Boot Sequence)
4. To read BL2 of Boot Sequence, Host should wait INT until becomes ready. and then, Host can issue load command.
(refer to 7.2.2 Boot Sequence, 7.1 Methods of Determing Interrupt status)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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