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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KDV239E |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF RADIO) |
| 中文描述： | 變?nèi)荻O管外延硅平面二極管（VCO的超高頻無線電） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | KDV239E |
2000. 3. 7
2/2
KDV239E
Revision No : 0
C
-3
-50
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)
C - Ta
C - V
REVERSE VOLTAGE VR
0
C
1
R
4
8
12
16
3
5
7
10
f=1MHz
Ta=25 C
-25
0
25
50
75
100
125
-2
-1
0
1
2
3
f=1MHz
V =1V
V
R
R
0.01p
0
REVERSE VOLTAGE VR
I - V
R
5
10
15
20
0.1p
1p
10p
100p
Ta=80 C
25
Ta=60 C
Ta=25 C
REVERSE VOLTAGE V (V)
0
S
)
1
3
10
20
r - V
s
R
5
0.2
Ta=25 C
f=100MHz
0.4
0.6
0.8
1.0
0.8
0.4
500
Ta=25 C
V =1V
100
FREQUENCY f (MHz)
20
50
300
1K
0.2
r - f
S
)
s
0.6
0
C
V =2V
V =6V
V =10V
NOTE : C(%) = C(Ta) - C(25)
`
100
C(25)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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