參數(shù)資料
型號(hào)： KA7302D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： GENERAL DISCRIPTION
中文描述： 一般DISCRIPTION
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 140K
代理商： KA7302D
KA7302D CDS, AGC, GAMMA CORRECTION
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( Vcc = 4.5 ~ 5.5 V , Ta = 25
°
C )
Characteristics
γ
Y1.0(Typ)
Symbol
γ
Y T.1
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
TRAP2 input=0.4V
PP
Gamma GC=2.6V
Measure : Gamma Output
TRAP2 input =0.8Vpp
Gamma GC = 2.6V
Cal.:Gamma Output /
γ
YT1
TRAP2 input =1.2Vpp
Gamma GC = 2.6V
Cal.:Gamma Output /
γ
YT1
TRAP2 input =0.2Vpp
Gamma GC = 2.6V
Cal.:Gamma Output /
γ
YT1
TRAP2 input =0.2/0.4Vpp
Gamma GC = 2.6V
Y_Gamcont = 1.8V
Cal.:Gamma Output
( 0.2 Vpp / 0.4 Vpp )
TRAP2 input =0.2/0.4Vpp
Gamma GC = 2.6V
Y_Gamcont = 5.0V
Cal.:Gamma Output
( 0.2 Vpp / 0.4 Vpp )
TRAP1 output =0.8Vpp
C_GAMCONT = 0.0V
Measure, : DL1 Output
TRAP1 output =0.8Vpp
C_GAMCONT = 1.8V
Measure, : DL1 Output
TRAP1 output =0.8Vpp
C_GAMCONT = 5.0V
Measure, : DL1 Output
TRAP1 output =0.4Vpp
C_GAMCONT = 0.0V
Measure, : DL1 Output
CAL. : DL1 output /
γ
CT1 Typ.
TRAP1 output =1.6Vpp
C_GAMCONT = 0.0V
Measure, : DL1 Output
CAL. : DL1 output /
γ
CT1 Typ.
400
525
650
mV
γ
Y2.0/
γ
Y1.0
γ
Y 2.0A
1.2
1.4
1.6
-
γ
Y3.0/
γ
Y1.0
γ
Y 3.0A
1.4
1.6
1.8
-
γ
Y0.5/
γ
Y1.0
γ
Y 0.5A
0.68
0.74
0.80
-
γ
Y
γ
Y0.5( Max )
γ
Y Max
0.78
0.85
0.92
-
γ
Y 0.5 ( Min )
γ
Y Min
0.55
0.62
0.70
-
γ
C 1.0 ( Typ )
γ
CT1 Typ.
270
310
350
mV
γ
C 1.0 ( Max )
γ
CT1 Max
300
340
380
mV
γ
C
γ
C 1.0 ( Min )
γ
CT1 Min
240
275
310
mV
γ
C 0.5/
γ
C 1.0
γ
C 0.5 A
0.5
0.6
0.7
-
γ
C 2.0 /
γ
C 1.0
γ
C 2.0 A
1.38
1.55
1.72
-
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