參數(shù)資料
型號： K9K2G08U0M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存
文件頁數(shù)： 28/39頁
文件大?。?/td> 680K
代理商： K9K2G08U0M
FLASH MEMORY
28
K9W4G08U1M
K9K2G08U0M
K9W4G16U1M
K9K2G16Q0M
K9K2G16U0M
K9K2G08Q0M
BLOCK ERASE OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
60h
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
D0h
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Row Address
t
WC
≈
Auto Block Erase
Setup Command
I/Ox
Row Add1 Row Add2 Row Add3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9XXG08UXM-E SSR H/S ZS 600V 50A 4-32VDC
K9XXG08UXM-K 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9XXG08UXM-P SSR H/S ZS 600V 70A 4-32VDC
K9XXG08UXM-Y 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9XXG16UXM-E SSR H/S IO 230V 20A 4-32VDC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9K2G08U0M-F 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08U0M-FCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08U0M-FIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08U0M-PCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08U0M-PCB000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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