- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374300 > K9K2G08U0M-F (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9K2G08U0M-F |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 680K |
| 代理商： | K9K2G08U0M-F |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)當(dāng)前第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)
FLASH MEMORY
21
K9W4G08U1M
K9K2G08U0M
K9W4G16U1M
K9K2G16Q0M
K9K2G16U0M
K9K2G08Q0M
Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
70h
Status Output
t
CLR
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR*
t
OH
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
K9XXG16XXM : I/O
8
~
15 must be set to "0"
I/Ox
t
CHZ*
t
RHZ*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K4G08Q0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G08U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16Q0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G16U0M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W8G08U1M | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K2G08U0M-FCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-FIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-PCB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9K2G08U0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。