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參數資料
| 型號： | K9F5608U0C-VCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁數： | 23/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | K9F5608U0C-VCB0 |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
22
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
READ1 OPERATION
(INTERCEPTED BY CE)
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
Busy
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Page(Row)
Address
Address
Column
t
WB
t
AR
t
CHZ
t
OH
t
R
t
RR
t
RC
READ2 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
50h
Dout
n+M
Dout n+m
M Address
Dout
n+M+1
Selected
Row
Start
address M
n
m
t
AR
t
R
t
WB
t
RR
X8 device : A
0
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3
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4
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care
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0
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2
are Valid Address & A
3
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≈
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X8 device : n = 512, m = 16
X16 device : n = 256, m = 8
N Address
CMD
Read
I/Ox
I/Ox
Col. Add
Row Add1
Row Add2
Col. Add
Row Add1
Row Add2
On K9F5608U0C_Y,P or K9F5608U0C_V,F
CE must be held
low during tR
On K9F5608U0C_Y,P or K9F5608U0C_V,F
CE must be held
low during tR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5608U0C-VIB0 | TV 3C 3#20 PIN WALL RECP |
| K9F5608U0C-YCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-YIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616Q0C-DCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616Q0C-DIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K9F5608U0C-VIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0C-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-YIB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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