參數(shù)資料
型號(hào)： K9F5608U0C-H
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
中文描述： 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表
文件頁(yè)數(shù)： 20/39頁(yè)
文件大小： 655K
代理商： K9F5608U0C-H
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
19
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
CE
WE
CLE
ALE
I/Ox
AO~A7
t
CLS
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
* Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/Ox
Command
* Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
A17~A24
A9~A16
NOTE
: 1. I/O8~15 must be set to "0" during command or address input.
2. I/O8~15 are used only for data bus.
Device
I/O
I/Ox
DATA
Data In/Out
~528byte
~264word
K9F5608X0C(X8 device)
K9F5616X0C(X16 device)
I/O 0 ~ I/O 7
I/O 0 ~ I/O 15
1)
t
CH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F5608U0C-P 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608U0C-V 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608U0C-Y 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616Q0C 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5616Q0C-D 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F5608U0C-HCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608U0C-HIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608U0C-P 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0C-PCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608U0C-PCB0T00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 256MBIT 32MX8 10US 48TSOP - Tape and Reel
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