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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5608U0C-D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁數(shù)： | 35/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | K9F5608U0C-D |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
34
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
Program/Erase OPERATION(In Locked or Lock-tighten Block)
On the program or erase operation in Locked or Lock-tighten block, Busy state holds 1~10
m
s(
t
LBSY)
60h(80h)
R/B
Address(&Data Input)
D0h(10h)
t
LBSY
I/Ox
Locked or Lock-tighten Block address
unlock
Lock
Lock
Lock-tight
Power-up
WPx = H &
Unlock block Command (23h) + Start Block Address
+ Command (24h) + End Block Address
Block Lock reset
WPx = L (>100ns)
Block Lock reset
WPx = L (>100ns)
WPx = H &
Lock block command (2Ah)
WPx = H &
Lock-tight block command (2Ch)
unlock
Lock
unlock
Lock-tight
Figure 15. State diagram of Block Lock
Lock-tight
Lock-tight block command (2Ch)
Lock
Lock
WPx = H &
WPx = H &
Unlock block Command (23h) + Start Block Address
+ Command (24h) + End Block Address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| K9F5608U0C-F | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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參數(shù)描述 |
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