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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1G08U0A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 677K |
| 代理商： | K9F1G08U0A |
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FLASH MEMORY
37
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
Data Protection & Power up sequence
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.1V(1.8V device), 1.8V(2.65V device), 2V(3.3V device). WP pin provides hard-
ware protection and is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down. A recovery time of minimum 10
μ
s is
required before internal circuit gets ready for any command sequences as shown in Figure 17. The two step command sequence for
program/erase provides additional software protection.
Figure 17. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
WE
1.8V device : ~ 1.5V
3.3V device : ~ 2.5V
1.8V device : ~ 1.5V
3.3V device : ~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
≈
≈
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| K9F1G08U0B-PCBT000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
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