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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8D6316UBM-FC09 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬(wàn)x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 658K |
| 代理商： | K8D6316UBM-FC09 |
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FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.5
March 2005
42
Data Polling During Internal Routine Operation
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
t
BUSY
90
-
90
-
90
-
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
Output Enable Time
t
OE
-
25
-
25
-
35
ns
CE & OE Disable Time
t
DF
-
16
-
16
-
16
ns
Output Hold Time from Address, CE or OE
t
OH
0
-
0
-
0
-
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
10
-
ns
OE
t
CE
t
OEH2
CE
DQ7
WE
t
OE
HIGH-Z
t
DF
Note :
*DQ7=Vaild Data (The device has completed the internal operation).
DQ7
*DQ7 = Valid Data
t
OH
t
PGM
or t
BERS
HIGH-Z
Valid Data
DQ0-DQ6
Data In
Data In
WE
RY/BY Timing Diagram During Program/Erase Operation
The rising edge of the last WE signal
CE
RY/BY
t
BUSY
Entire progrming
or erase operation
Status Data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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