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參數(shù)資料
| 型號： | K7D803671B-HC30 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| 中文描述： | 256Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | K7D803671B-HC30 |
Rev 4.0
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
- 9 -
January. 2002
K7D801871B
K7D803671B
AC TEST CONDITIONS 2
(T
A
=0 to 70
°
C, V
DD
=2.37 -2.63V, V
DDQ
=1.8V)
Parameter
Symbol
V
IH
/V
IL
V
REF
T
R
/T
F
Value
1.64/0.18
0.9
0.5/0.5
0.9
Cross Point
Unit
V
V
ns
V
V
Note
-
-
-
-
-
-
Input High/Low Level
Input Reference Level
Input Rise/Fall Time
Output Timing Reference Level
Clock Input Timing Reference Level
Output Load
See Below
50
50
AC TEST OUTPUT LOAD 2
25
5pF
DQ
0.9V
5pF
0.9V
50
50
0.9V
AC TEST CONDITIONS 1
(T
A
=0 to 70
°
C, V
DD
=2.37 -2.63V, V
DDQ
=1.5V)
Parameter
Symbol
V
IH
/V
IL
V
REF
T
R
/T
F
Value
1.25/0.25
0.75
0.5/0.5
0.75
Cross Point
Unit
V
V
ns
V
V
Note
-
-
-
-
-
-
Input High/Low Level
Input Reference Level
Input Rise/Fall Time
Output Timing Reference Level
Clock Input Timing Reference Level
Output Load
See Below
50
50
AC TEST OUTPUT LOAD 1
25
5pF
DQ
0.75V
5pF
0.75V
50
50
0.75V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D803671B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC35 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC37 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7I321882M | 1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM |
| K7I323682M | 1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7D803671B-HC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC33000 | 制造商:Samsung 功能描述:8MSYNCDOUBLE DATA RATE SRAMX36BGA - Bulk |
| K7D803671B-HC33T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:8MSYNCDOUBLE DATA RATE SRAMX36BGA, T/R - Tape and Reel |
| K7D803671B-HC35 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
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