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參數(shù)資料
| 型號： | K7D801871B-HC35 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| 中文描述： | 256Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 16/16頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | K7D801871B-HC35 |
Rev 4.0
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
- 16
January. 2002
K7D801871B
K7D803671B
NOTE
:
1. All Dimensions are in Millimeters.
2. Solder Ball to PCS Offset : 0.10 MAX.
3. PCB to Cavity Offset : 0.10 MAX.
153 BGA PACKAGE DIMENSIONS
1.27
0.050
7 6 5 4 3 2 1
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
A
1
0
BOTTOM VIEW
0.3/0.012MAX
153-
0.030
±
0.006
14.00
±
0.10
0.551
±
0.004
2
±
0
0
±
0
12.50
±
0.10
0.492
±
0.004
0.60
±
0.10
0.024
±
0.004
2
±
0
0
±
0
0.56
±
0.04
0.022
±
0.002
0.90
±
0.10
0.035
±
0.004
2.21
0.087
TOP VIEW
0.15 MAX
0.75
±
0.15
MAX
9 8
153 BGA PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS
NOTE
: 1. Junction temperature can be calculated by : T
J
= T
A
+ P
D
x Theta_JA.
Parameter
Symbol
Thermal Resistance
Unit
Note
Junction to Ambient(at still air)
Theta_JA
30.0
°
C/W
°
C/W
°
C/W
1W Heating
Junction to Case
Theta_JC
5.9
Junction to Board
Theta_JB
4.8
2W Heating
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D801871B-HC37 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC25 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC30 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC33 | 256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7D801871B-HC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18 SRAM |
| K7D803671B-HC25000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K7D803671B-HC25T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:8MSYNCDOUBLE DATA RATE SRAMX36BGA, T/R - Tape and Reel |
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