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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7D321874A-HC37 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| 中文描述： | 32兆甲芯片的DDR SRAM的規(guī)范 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/19頁(yè) |
| 文件大小： | 494K |
| 代理商： | K7D321874A-HC37 |
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Rev 1.4
Oct. 2005
1Mx36 & 2Mx18 SRAM
- 17
K7D321874A
K7D323674A
BOUNDARY SCAN EXIT ORDER(x36)
* Reserved for Mode Pin
1
5P
5R
5T
6R
7T
7R
7P
8T
9T
8P
7M
9P
8M
9M
7K
8K
9K
6L
5H
5G
9H
8H
7H
9F
8F
9D
7F
8D
9B
8B
7D
7C
7B
7A
6D
6C
6A
V
DD
(2)
SA
1
SA
0
SA
SA
V
DD
(2)
SA
DQ1
DQ2
DQ10
DQ0
DQ12
CQ(3)
DQ3
DQ9
DQ11
DQ13
MODE
K
K
DQ4
DQ6
DQ8
DQ14
CQ(3)
DQ5
DQ17
DQ7
DQ15
DQ16
SA
SA
SA
SA
V
SS
(2)
SA
SA
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
5C
4A
4C
4D
3A
3B
3C
3D
2B
1B
2D
3F
1D
2F
1F
3H
2H
1H
5A
5B
5K
5L
4L
1K
2K
3K
1M
2M
1P
3M
2P
1T
2T
3R
3T
4R
SA
SA
SA
V
SS
(2
SA
SA
SA
SA
DQ19
DQ20
DQ28
DQ18
DQ30
CQ(3)
DQ21
DQ27
DQ29
DQ31
ZQ(1)
B
1
B
2
B
3
LBO
DQ22
DQ24
DQ26
DQ32
CQ(3)
DQ23
DQ35
DQ25
DQ33
DQ34
V
DD
(2)
SA
SA
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
74
7U
NC
BOUNDARY SCAN EXIT ORDER(x18)
* Reserved for Mode Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
5P
5R
5T
6R
7T
7R
7P
8T
V
DD
(2)
SA
1
SA
0
SA
SA
V
DD
(2)
SA
DQ1
28
29
30
31
32
33
34
35
36
5C
4A
4C
4D
3A
3B
3C
3D
2B
SA
SA
SA
V
SS
(2)
SA
SA
SA
SA
DQ10
9
9P
8M
DQ2
CQ(3)
10
37
38
1D
2F
DQ11
CQ(3)
11
7K
DQ0
39
3H
DQ9
12
13
14
15
9K
6L
5H
5G
DQ3
MODE
K
K
40
41
42
43
44
45
1H
5A
5B
5K
5L
4L
DQ12
ZQ(1)
B1
B2
B3
LBO
16
8H
DQ6
17
9F
DQ4
46
2K
DQ15
18
19
20
7F
8D
9B
DQ8
DQ7
DQ5
47
1M
DQ13
48
49
50
51
52
53
54
55
3M
2P
1T
3P
3R
3T
4R
7U
DQ17
DQ16
DQ14
SA
V
DD
(2)
SA
SA
NC
21
22
23
24
25
26
27
7D
7C
7B
7A
6D
6C
6A
SA
SA
SA
SA
V
SS
(2)
SA
SA
NOTE
:
1. If pin is connected as they should, TDO will be low. If pin is open, TDO will be high
2. This pin is place holder for higher density. TDO will be low for V
SS
and high for V
DD
3. CQ and CQ are outputs during boundary scan. CQ reflects the input to K and CQ outputs the inverted value of K. It is prohibited to force CQ and CQ.
And TDO is ’X’.(Don’t Care)
SCAN REGISTER DEFINITION
Part
Instruction Register
Bypass Register
ID Register
Boundary Scan
1M x 36
3 bits
1 bits
32 bits
74 bits
2M x 18
3 bits
1 bits
32 bits
55 bits
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7D321874A-HC40 | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D321874A-HGC33 | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D321874A-HGC37 | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D321874A-HGC40 | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D323674A | 32Mb A-die DDR SRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7D321874A-HC40 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D321874A-HGC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D321874A-HGC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D321874A-HGC40 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:32Mb A-die DDR SRAM Specification |
| K7D321874C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 & 2Mx18 SRAM |
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