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參數(shù)資料
| 型號： | K4S643232E-TE70 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V) |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL（3.3） |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | K4S643232E-TE70 |
K4S643232E
CMOS SDRAM
- 12
Rev. 1.3 (Oct. 2001)
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Address
A
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Sequential
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BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial Address
A
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Interleave
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| K4S643232E-TC60 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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