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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S643232C-TL10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Dual Low-Noise Precision Rail-To-Rail Operational Amplifier 14-SOIC |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | K4S643232C-TL10 |
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K4S643232C
CMOS SDRAM
REV. 1.1 Nov. '99
- 15
1) Clock Suspended During Write (BL=4
1. CLOCK Suspend
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
CLK
CMD
CKE
Internal
CKE
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Masked by CKE
2) Clock Suspended During Read (BL=4)
D
0
Q
1
Not Written
1) Write Mask (BL=4)
2. DQM Operation
WR
D
0
D
1
D
3
D
0
D
1
D
3
CLK
CMD
DQM
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Masked byDQM
2) Read Mask (BL=4)
RD
Q
0
Q
2
Q
3
Q
1
Q
2
Q
3
Masked by DQM
Hi-Z
DQM to Data-in Mask = 0
DQM to Data-out Mask = 2
Hi-Z
3) DQM with Clock Suspended (Full Page Read)
Note 2
RD
CLK
CMD
CKE
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Q
0
Q
4
Q
7
Q
8
Q
2
Q
3
Q
6
Q
7
Q
1
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
DQM
*Note :
1. CKE to CLK disable/enable = 1CLK.
2. DQM makes data out Hi-Z after 2CLKs which should masked by CKE " L"
3. DQM masks both data-in and data-out.
BASIC FEATURE AND FUNCTION DESCRIPTIONS
RD
Q
0
Q
2
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Masked by CKE
Q
3
Suspended Dout
Q
6
Q
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S643232C-TL55 | Dual Low-Noise Precision Rail-To-Rail Operational Amplifier 14-SOIC |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K4S643232C-TL60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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