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參數(shù)資料
| 型號： | K4S643232C-TC80 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 40/43頁 |
| 文件大小： | 1155K |
| 代理商： | K4S643232C-TC80 |
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～
～
CMOS SDRAM
K4S643232C
REV. 1.1 Nov. '99
- 40
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
: Don
t Care
*Note :
1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + tss prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
*Note 1
Precharge
tSS
*Note 2
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
tSS
tSS
Ra
Ca
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
Row Active
Precharge
Power-down
Exit
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
Read
tSHZ
*Note 3
*Note 2
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