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參數資料
| 型號： | K4S56163LF-F1L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| 中文描述： | 4米× 16 × 4銀行在54BOC移動SDRAM |
| 文件頁數： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | K4S56163LF-F1L |
K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F
February 2004
Mobile-SDRAM
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
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2. BURST LENGTH = 8
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S56163LC-RF | 16Mx16 Mobile SDRAM 54CSP |
| K4S563233FHN | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S563233FHN75 | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S563233F | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S640432D | 64Mbit SDRAM 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4S56163LF-F75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S56163LF-G | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S56163LF-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S56163LF-N | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
| K4S56163LF-XE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC |
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