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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S281632M-L10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 128Mbit SDRAM的200萬× 16 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | K4S281632M-L10 |
K4S281632M
CMOS SDRAM
Rev. 0.0 Aug. 1999
V
DD
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
DD
(V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
I (mA)
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.23
1.34
3.02
5.06
7.35
9.83
12.48
15.30
18.31
V
SS
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
SS
(V)
-2.6
-2.4
-2.2
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
I (mA)
-57.23
-45.77
-38.26
-31.22
-24.58
-18.37
-12.56
-7.57
-3.37
-1.75
-0.58
-0.05
0.0
0.0
0.0
0.0
20
15
10
5
0
0
3
1
2
Voltage
m
I (mA)
m
I (mA)
Minimum V
DD
clamp current
(Referenced to V
DD
)
SS
clamp current
0
-10
-20
-30
-40
-3
0
-2
-1
-50
-60
Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S281632M-L1H | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-L1L | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-L80 | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-TC | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-TC80 | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S281632M-L1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-L1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-L80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632M-TC/L10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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