- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374278 > K4S280832B-TC80 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4S280832B-TC80 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 8位× 4銀行Sychronous內存 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | K4S280832B-TC80 |
K4S280832B
CMOS SDRAM
Rev. 0.0 Aug. 1999
V
DD
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
DD
(V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
I (mA)
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.23
1.34
3.02
5.06
7.35
9.83
12.48
15.30
18.31
V
SS
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
SS
(V)
-2.6
-2.4
-2.2
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
I (mA)
-57.23
-45.77
-38.26
-31.22
-24.58
-18.37
-12.56
-7.57
-3.37
-1.75
-0.58
-0.05
0.0
0.0
0.0
0.0
20
15
10
5
0
0
3
1
2
Voltage
m
I (mA)
m
I (mA)
Minimum V
DD
clamp current
(Referenced to V
DD
)
Minimum V
SS
clamp current
0
-10
-20
-30
-40
-3
0
-2
-1
-50
-60
Voltage
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S280832B-TCL10 | 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TCL1H | 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TCL1L | 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TCL75 | 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TL10 | 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S280832B-TCL10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TCL1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TCL1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TCL75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
| K4S280832B-TCL80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。