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參數(shù)資料
| 型號： | K4R571669D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256/288Mbit RDRAM(D-die) |
| 中文描述： | 256/288Mbit的RDRAM（深模） |
| 文件頁數(shù)： | 1/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 311K |
| 代理商： | K4R571669D |
Direct RDRAM
K4R571669D/K4R881869D
Page -1
Version 1.4 July 2002
July 2002
Version 1.4
Direct RDRAM
TM
512K x 16/18bit x 32s banks
256/288Mbit RDRAM
(D-die)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R881869D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) |
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| K4R761869A-F | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-FbCcN1 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R761869A-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R761869A-GCM8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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