參數(shù)資料
型號(hào)： K4H640838D-TLA2
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mb DDR SDRAM
中文描述： 128MB DDR SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 46/53頁(yè)
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代理商： K4H640838D-TLA2
- 46 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
9. AC Operating Test Conditions
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 0 to 70
°
C)
Parameter
Value
Unit
Note
Input reference voltage for Clock
0.5 * V
DDQ
V
Input signal maximum peak swing
1.5
V
Input signal minimum slew rate
1.0
V/ns
Input Levels(V
IH
/V
IL
)
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
Input timing measurement reference level
V
REF
V
Output timing measurement reference level
V
tt
V
Output load condition
See Load Circuit
10. Input/Output Capacitance
(V
DD
=2.5, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 25
°
C
,
f=1MHz)
Parameter
Symbol
Min
Max
Delta Cap(max)
Unit
Input capacitance
(A
0
~ A
11
, BA
0
~ BA
1,
CKE, CS, RAS,CAS, WE)
Input capacitance(
CK, CK )
C
IN1
2
3.0
0.5
pF
C
IN2
2
3.0
0.25
pF
Data & DQS input/output capacitance
C
OUT
4.0
5.0
0.5
pF
Input capacitance(DM)
C
IN3
4.0
5.0
pF
Table 15. AC operating test conditions
Table 16. Input/output capacitance
Figure 24. Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
C
LOAD
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
V
tt
=0.5*V
DDQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H640838D-TLB0 128Mb DDR SDRAM
K4H641638A-TLB0 128Mb DDR SDRAM
K4H641638B-TCA0 128Mb DDR SDRAM
K4H641638B-TCA2 128Mb DDR SDRAM
K4H641638B-TCB0 128Mb DDR SDRAM
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參數(shù)描述
K4H640838D-TLB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H640838E-TCA0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H640838E-TCA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H640838E-TCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H640838E-TLA0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
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