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參數(shù)資料
| 型號： | K4H640838D-TCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | K4H640838D-TCB0 |
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
1. Key Features
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
MRS cycle with address key programs
-. Read latency 2, 2.5 (clock)
-. Burst length (2, 4, 8)
-. Burst type (sequential & interleave)
All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)
Data I/O transactions on both edges of data strobe
Edge aligned data output, center aligned data input
LDM,UDM/DM for write masking only
Auto & Self refresh
15.6us refresh interval(4K/64ms refresh)
Maximum burst refresh cycle : 8
66pin TSOP II package
1.1 Features
1.2 Operating Frequencies
*CL : Cas Latency
Table 1. Operating frequency and DLL jitter
- A2(DDR266A)
133MHz@CL2
-
±0.75ns
- B0(DDR266B)
100MHz
133MHz
±0.75ns
- A0(DDR200)
100MHz
-
±0.8ns
Speed @CL2
Speed @CL2.5
DLL jitter
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H640838D-TLA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H640838D-TLA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H640838D-TLB0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H641638A-TLB0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H641638B-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H640838D-TLA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640838D-TLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640838D-TLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640838E-TCA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640838E-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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